Simulação De Portas Lógicas

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INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DE SÃO PAULO DANIEL RONEI DE SÁ – 1575031 LEONARDO BAGGIO – 1572083 MATHEUS BATISTA – 1575058 SIMULAÇÃO DE PORTAS LÓGICAS Relatório técnico apresentado como requisito parcial para obtenção de aprovação na disciplina T3LD1 – Laboratório de Eletrônica Digital 1, no Curso de Engenharia Eletrônica, no Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de São Paulo. Prof. Me. Alexandre de Jesus Aragão SÃO PAULO 2° SEMESTRE 2016 1. OBJETIVO Verificar o funcionamento dos circuitos que simulam as portas lógicas utilizando diodos e transistores. 2. INTRODUÇÃO TEÓRICA Os diodos e transistores são componentes essenciais para eletrônica que proporcionaram um grande avanço tecnológico, a fim de conhecer suas aplicações e como utilizá-lo é importante entender sua composição e comportamento. Diodos, assim como transistores, são feitos a partir de materiais semicondutores, existem diversos materiais semicondutores, os mais comuns e mais utilizados são o silício (Si) e o germânio (Ge), ambos são caracterizados por serem tetravalentes (possuem 4 elétrons na camada de valência), desta forma cada um de seus átomos pode realizar quatro ligações covalentes, será utilizado o semicondutor de silício como referência. Existem dois tipos de semicondutores, os de tipo N e P, semicondutores tipo N são componentes em que foram adicionados certa quantidade de materiais pentavalentes (com 5 elétrons na camada de valência) estes elementos, também chamados de impurezas, assumem a mesma estrutura do cristal de silício, realizando (cada impureza) quatro ligações covalentes com seus átomos mais próximos e “sobrando” um elétron livre, desta forma o número de elétrons livres é maior que o número de lacunas como é ilustrado na figura 1, então os elétrons livres são denominados portadores majoritários e as lacunas portadores minoritários. Figura 1 – Semicondutor tipo N. Em contrapartida, um semicondutor tipo P é um semicondutor no qual foi acrescentado uma impureza de material trivalente (com três elétrons na camada de valência), assim as ligações covalentes formarão lacunas (uma lacuna por átomo de impureza) e então o número de lacunas será maior que o número de elétrons livres como mostra a figura 2, ou seja, neste tipo de semicondutor as lacunas são portadores majoritários e os elétrons livres minoritários. O processo de acrescentar impurezas a um semicondutor para manipular a quantidade de elétrons livres ou lacunas é chamada de dopagem. Figura 2 – Semicondutor tipo P. Um diodo é feito a partir da junção entre semicondutores tipo P e tipo N, desta forma o excesso de elétrons no material tipo N tende a migrar para o material tipo P, para alcançar a estabilidade química e o equilíbrio das densidades de elétrons nos dois materiais. O material tipo N perde um elétron e fica com oito em sua camada de valência, acontecendo o mesmo com o material tipo P que tem sua lacuna preenchida por este elétron. Esta recombinação ocorre inicialmente na região próxima da junção, ocasionando a formação de uma camada de depleção, de acordo com a figura 3, a camada tem este nome pois nela não há portadores majoritários. Figura 3 – Camada de Depleção Enquanto os átomos do material tipo P próximo à junção recebem os elétrons que preenchem as lacunas, na parte do material tipo N são formados íons positivos e na parte de tipo P íons negativos, dificultando cada vez mais a passagem de elétrons da parte N para a P até que em certo momento não há mais a passagem de elétrons e a camada de depleção fica sem elétrons livres ou lacunas, que são os responsáveis pela corrente elétrica. Com a camada de depleção ionizada, cria-se uma diferença de potencial na junção, chamada de barreira de potencial, esta diferença de potencial é de 0,7 V para os diodos de silício e de 0,3 V para os diodos de germânio (a 25°C). Cada lado do diodo recebe um nome, o lado P chama-se anodo (A) em relação à ânion e o lado N catodo (K) em relação à cátion, sendo que cada lado é ligado à um terminal à ser conectado no circuito, além disso o diodo possui um símbolo para ser representado e projetos de circuitos eletrônicos, que pode ser visto na figura 4. Figura 4 – Simbologia e terminais do diodo. Ao conectar uma fonte de alimentação aos terminais do diodo, a camada de depleção é modificada, o que altera as características da barreira de potencial dependendo do sentido da polarização do diodo. Ligando o potencial positivo da fonte ao anodo e o potencial negativo ao catodo, os elétrons no lado N ganham mais energia, pois são repelidos pelo potencial negativo da fonte, à ponto de romper a barreira de potencial e preencher as lacunas do lado P, porém continuam a se mover, pois são atraídos pelo potencial positivo da fonte, formando uma corrente elétrica de alta intensidade e fazendo com que o diodo se comporte como um condutor ou uma resistência direta muito baixa, este tipo de polarização é chamada de polarização direta e está representada na figura 5. Figura 5 – Polarização Direta. A polarização reversa ocorre ao conectar o potencial negativo da fonte ao anodo e o potencial positivo ao catodo, assim os elétrons do lado N são atraídos para o potencial positivo da fonte e o potencial negativo da fonte preenche as lacunas do lado P, ocasionando o crescimento da barreira de potencial, como mostrado na figura 6, até o momento em que a sua diferença de potencial se iguala à da fonte de alimentação. Neste tipo de polarização os portadores majoritários não circulam pelo circuito mas existe uma corrente muito pequena formada pelos portadores minoritários (elétrons no lado P e lacunas no lado N), dos quais muitos são gerados a partir da energia térmica e temperatura ambiente, esta corrente se chama corrente reversa e não aumenta proporcionalmente à tensão reversa aplicada ao diodo, sendo considerada desprezível na maioria dos casos. Nesta situação o diodo tem o comportamento de um circuito aberto, pois possui uma resistência muito alta. Figura 6 – Polarização reversa. O transistor é o componente formado por duas camadas de cristais semicondutores do mesmo tipo, separada por uma camada de cristal semicondutor do tipo oposto que controla a passagem de corrente entre as outras duas, cada camada recebe um nome de acordo com sua função, sendo as extremidades chamadas de emissor (E) e coletor ©, e a camada central de base (B). Existem duas possibilidades para formação do transistor, a NPN e a PNP, como mostra a figura 7. Figura 7 – Junções e simbologia dos transistores NPN e PNP. O emissor (E) é fortemente dopado, sua função é a de emitir portadores de carga para a base, sendo que no transistor NPN são cargas negativas (elétrons) e no PNP são cargas positivas (lacunas), a base (B) possui dopagem mediana e é fina em relação aos extremos, para que a maioria dos portadores lançados do emissor para base consigam passar até o coletor, e o coletor (C) é levemente dopado, tem a função de coletar os portadores da base, ele é maior que as outras camadas, pois é nele que é dissipada a maior parte da potência do circuito em que ele foi utilizado. Lembrando que os portadores majoritários do material tipo P são as lacunas e do material tipo N são os elétrons livres. Nas duas junções do transistor são formadas barreiras de potenciais com diferença de potencial de 0,7 V para semicondutores de silício e de 0,3 V para os de germânio, assim como nos diodos de junção PN. O objetivo básico dos transistores em circuitos eletrônicos é o de controlar a passagem de corrente entre o emissor e o coletor, através da base, quando polarizado adequadamente as suas junções. Para transistores é possível realizar polarizações distintas, como a polarização direta da junção emissor-base, assim esta junção se comporta como um diodo polarizado diretamente, em que circula pela junção uma grande corrente de portadores majoritários e uma pequena corrente em sentido contrário, devido aos portadores minoritários, esta corrente é chamada de corrente de fuga. Polarizando a junção base-coletor reversamente, a barreira de potencial aumenta e o fluxo de corrente dos portadores majoritários diminui, porém, os portadores minoritários atravessam a barreira de potencial com facilidade no sentido contrário à corrente convencional, fazendo circular uma corrente reversa, ainda menor do que a dos portadores majoritários, o que a torna praticamente desprezível. Nas figuras 8 e 9 é possível verificar o fluxo de portadores majoritários em uma polarização direta da junção emissor-base e em uma polarização reversa da junção base-coletor, respectivamente, para transistores NPN (a) e PNP (b). Figura 8 – Polarização Direta da Junção Emissor-Base dos transistores NPN e PNP. Figura 9 – Polarização Reversa das junções Base-Coletor dos transistores NPN e PNP. Utilizando a polarização direta da junção emissor-base em conjunto com a polarização reversa da junção base-coletor, temos a polarização completa do transistor, em que o fluxo de portadores majoritários na junção emissor-base dirige-se quase totalmente para o coletor atravessando a junção base-coletor, não mais ao terminal da base, devido à atração do coletor como é retratado na figura 10. Figura 10 – Polarização Completa dos transistores NPN e PNP. Conforme a Primeira Lei de Kirchhoff para as correntes e a Segunda Lei de Kirchhoff para as tensões em ambos os transistores (PNP e NPN), temos as seguintes equações: NPN ou PNP: NPN: = = + + PNP: = + Obs: As correntes de portadores minoritários são desconsideradas por serem muito menores que as de portadores majoritários, salvo observações em contrário. 3. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL 3.1 Material Utilizado  01 Transistor BC 548.  03 Diodos 1N4001.  01 Fonte de alimentação Variável.  02 Cabos banana-jacará para fonte.  01 Resistor 1kΩ.  02 Resistores 10kΩ.  01 Resistor 470Ω.  01 Multímetro Digital. 3.2 Procedimentos Experimentais A primeira etapa do experimento foi montar o circuito proposto 1, conforme figura 11, no qual foi utilizado um resistor de 1kΩ, dois diodos 1N4001 e uma fonte de alimentação variável. A fonte de alimentação foi ajustada para ter 5V na saída e então pode ser montado o circuito. V1 R1 5V 1k A Volts +88.8 D1 1N4001 D2 B 1N4001 Figura 11 – Circuito Proposto 1. Foi utilizado um voltímetro ligado na saída dos diodos e no ground, de forma que conforme fosse modificada a alimentação nas entradas A e B (0V ou 5V) seria possível medir a tensão na saída com o voltímetro. Com os valores medidos, foi preenchido a tabela 1. Tabela 1 – Tabela Verdade com valores experimentais do Circuito Proposto 1. A B Nível Lógico 0 0 0,616 ± 0,001 0 0 1 0,650 ± 0,001 0 1 0 0,650 ± 0,001 0 1 1 5,032 ± 0,001 1 (V) Com as medições concluídas, foi montado o circuito proposto 2, conforme figura 12, no qual foi utilizado um resistor de 1kΩ, dois diodos 1N4001 e uma fonte de alimentação variável. A fonte de alimentação foi ajustada para ter 5V na saída e então pode ser montado o circuito. V1 5V D1 A 1N4001 +88.8 D2 Volts B 1N4001 R1 1k Figura 12 – Circuito Proposto 2. Foi utilizado um voltímetro ligado na saída dos diodos e no ground, de forma que conforme a tensão de alimentação nas entradas A e B fossem alteradas (0V ou 5V) possibilitaria a medição das tensões de saída com o voltímetro. A tabela 2 foi preenchida com os valores obtidos. Tabela 2 – Tabela Verdade com valores experimentais do Circuito Proposto 2. A B (V) Nível Lógico 0 0 0 0 0 1 4,387 ± 0,001 1 1 0 4,376 ± 0,001 1 1 1 4,412 ± 0,001 1 O próximo circuito montado, o circuito proposto 3, teve uma montagem diferente dos circuitos proposto 1 e 2, pois dessa vez foram utilizados 2 resistores, um de 1kΩ e um de 10kΩ além de um transistor BC 548 e uma fonte com 5V na alimentação do circuito, como pode ser visto na figura 13. V1 R1 5V 1k Q1 R2 Vin BC548 10k +88.8 Volts Figura 13 – Circuito Proposto 3. Foi conectado um voltímetro com as pontas de prova no coletor do transistor BC 548 e no ground, de tal forma que fosse possível medir a tensão de saída (Vo), após a medição da tensão de entrada (Vin). A entrada foi alimentada primeiro com 5V e depois com 0V, os valores obtidos na saída podem ser vistos na tabela 3. Tabela 3 – Tabela Verdade com valores experimentais do Circuito Proposto 3. (V) (V) Nível Lógico 5,023 ± 0,001 0,032 ± 0,001 0 0 5,023 ± 0,001 1 O circuito proposto 4, conforme figura 14, foi montado utilizando 1 transistor BC 548, 3 resistores, sendo um de 1kΩ e 2 de 10kΩ e na alimentação do circuito foi utilizando uma fonte de 5V. V1 R1 5V 1k R2 A Q1 BC548 10k +88.8 Volts R3 B 10k Figura 14 – Circuito Proposto 4. Foi ligado um voltímetro no coletor do transistor BC 548 e no ground, de forma que fosse possível medir a tensão de saída (Vo), a partir do que era ligado nas entradas A e B (0V ou 5V). Os valores obtidos experimentalmente podem ser vistos na tabela 4. Tabela 4 – Tabela Verdade com valores experimentais do Circuito Proposto 4. A B 0 0 5,023 ± 0,001 1 0 1 0,036 ± 0,001 0 1 0 0,036 ± 0,001 0 1 1 0,023 ± 0,001 0 (V) Nível Lógico Para o último circuito montado, circuito proposto 5, foram utilizados 3 resistores, sendo um de 470Ω, um de 1kΩ e um de 10kΩ, um transistor BC 548, dois diodos 1N4001 e uma fonte de alimentação ajustada em 5V. O circuito montado pode ser visto na figura 15. V1 R2 R1 1k 470R D1 Q1 R3 A BC548 10k 1N4001 5V +88.8 Volts D2 B 1N4001 Figura 15 – Circuito Proposto 5. Foi conectado um voltímetro no coletor do transistor BC 548 e no ground, de forma que fosse possível medir a tensão de saída (Vo), a partir do que era ligado nas entradas A e B (0V ou 5V). Os valores obtidos experimentalmente podem ser vistos na tabela 5. Tabela 5 – Tabela Verdade com valores experimentais do Circuito Proposto 5. A B 0 0 4,881 ± 0,001 1 0 1 4,672 ± 0,001 1 1 0 4,755 ± 0,001 1 1 1 0,055 ± 0,001 0 (V) Nível Lógico 4. RESULTADOS E DISUCUSSÕES Analisando os circuitos propostos e suas tabelas verdade obtidas através dos experimentos foi possível chegar a algumas conclusões. Para o circuito proposto 1, foi possível verificar que se trata de uma porta lógica AND que tem duas entradas e realiza a operação conhecida como multiplicação lógica (S = A.B), no qual produz uma saída de nível lógico 1 apenas quando as duas entradas são alimentadas com 5V, como foi visto na tabela 1. As simbologias da porta lógica AND e sua tabela verdade podem ser vistas na figura 16. Figura 16 – Simbologia nas normas ASA e ABNT da porta lógica AND e sua tabela verdade. Os diodos semicondutores, como visto na introdução teórica, podem conduzir uma corrente em um único sentido, neste circuito os diodos estão no sentido contrário ao sentido da corrente da fonte, então se ao menos uma das entradas possuir nível lógico 0 a diferença de potencial nas entradas será menor que o potencial da fonte, logo o circuito é fechado e a saída será o nível lógico 0, que é a tensão de aproximadamente 0,7 V do diodo mostrada no voltímetro. Porém, quando as duas entradas possuírem nível lógico 1, a saída será o nível lógico 1, pois o circuito está conduzindo a corrente normalmente. Para o circuito proposto 2, foi possível verificar que se trata de uma porta lógica OR que tem duas entradas e realiza a operação conhecida como adição lógica (S = A+B), no qual produz uma saída de nível lógico 1 quando ao menos uma das entradas for alimentada com 5V, como foi visto na tabela 2. As simbologias da porta lógica OR e sua tabela verdade podem ser vistas na figura 17. Figura 17 – Simbologia nas normas ASA e ABNT da porta lógica OR e sua tabela verdade. Neste circuito à uma polarização direta dos diodos que são alimentados com o nível lógico 1, neste caso o diodo se comporta como um condutor comum, o que explica o fato de que é necessário somente um dos diodos com nível lógico 1 para se obter uma saída de nível lógico 1. Analisando o circuito proposto 3, foi possível verificar que se trata de uma porta lógica NOT que tem apenas uma entrada e realiza a operação conhecida como inversão ou complementação (S = ̅), no qual produz uma saída de nível lógico 1 quando a entrada estiver em nível lógico 0 e vice-versa, como foi visto na tabela 3. As simbologias da porta lógica NOT e sua tabela verdade podem ser vistas na figura 18. Figura 18 – Simbologia nas normas ASA e ABNT da porta lógica NOT e sua tabela verdade. O transistor foi utilizado neste circuito para executar a função de chave, sendo que quando o nível lógico da entrada é 1, o transistor é alimentado fechando o circuito ocasionando nível lógico 0 na saída e quando o nível lógico da entrada é 0 o transistor não é alimentado e deixa o circuito aberto para saída ter nível lógico 1. Analisando o circuito proposto 4, foi possível verificar que se trata de uma porta lógica NOR de duas entradas e realiza a operação inversa da porta OR (S = + ), no qual produz uma saída de nível lógico 1 apenas quando as duas entradas são alimentadas com 0V, como foi visto na tabela 4. As simbologias da porta lógica NOR e sua tabela verdade podem ser vistas na figura 19. Figura 19 – Simbologia nas normas ASA e ABNT da porta lógica NOR e sua tabela verdade. Assim como no circuito que simula a porta NOT, este circuito também utiliza um transistor como chave, porém neste caso, para qualquer nível 1 na entrada o transistor é alimentado, então o circuito é fechado e a saída será nível lógico 0 e para o caso em que as duas entradas estão em nível lógico 0, o transistor não será alimentado e não fechará o circuito e levará ao nível lógico 1 na saída. E por último, analisando o circuito proposto 5, foi possível concluir que se trata de uma porta lógica NAND de duas entradas e realiza operação inversa da porta AND (S = . ), no qual produz uma saída de nível lógico 1 quando pelo menos uma das entradas for alimentada com 0V, como foi observado na tabela 5. As simbologias da porta lógica NAND e sua tabela verdade podem ser vistas na figura 20. Figura 20 – Simbologia nas normas ASA e ABNT da porta lógica NAND e sua tabela verdade. Este circuito utiliza a combinação de dois diodos e um transistor para simular a porta NAND, sendo que os diodos estão posicionados em sentido contrário ao sentido da corrente da fonte, o que faz com que o transistor se baseie na diferença de potencial nos diodos, assim estes componentes só deixaram de fechar o circuito quando as duas entradas estiverem em nível lógico 1, ocasionando o nível lógico 0 na saída. 5. QUESTÕES 1) Pesquise e dê exemplos dos seguintes códigos: binário, hexadecimal, BCD, Gray, ASCII. Código Binário: O sistema de numeração binário é um dos mais importantes em sistemas digitais, no entanto, o sistema decimal é muito usado no cotidiano, pois oferece uma forma mais simples de manipular os números em determinadas situações matemáticas, ele é composto por dez números (0 à 9), já os computadores utilizam os números binários para efetuar cálculos complexos com maior rapidez e praticidade. O sistema binário usado pelos computadores é constituído de dois dígitos o 0 e o 1. A combinação desses dígitos leva o computador a criar várias informações: letras, palavras, textos, cálculos. A criação do sistema de numeração binária é atribuída ao matemático alemão Leibniz. Um modo de converter um número binário para decimal, é somando-se os pesos das várias posições que contiverem 1 no número binário. Como pode ser visto no exemplo da figura 21: Figura 21 – Conversão de binário para decimal Já para converter um número decimal para binário, é necessário que o número decimal seja simplesmente representado como uma soma de potências de 2, e então 1’s e 0’s são escritos nas posições de bit apropriados. Como pode ser visto no exemplo da figura 22: Figura 22 – Conversão de decimal para binário Código Hexadecimal: O sistema de numeração hexadecimal usa a base 16. Logo, ele tem 16 algarismos. Ele usa os dígitos 0 a 9 mais as letras A, B, C, D, E e F como os 16 símbolos. A figura a seguir exemplifica a relação entre hexadecimal, decimal e binário. Como pode ser visto no exemplo da figura 23: Figura 23 – Equivalência dos primeiros símbolos dos três principais códigos Um número hexadecimal pode ser convertido para seu equivalente decimal usando o fato de que cada posição de dígito hexadecimal tem um peso que é uma potência de 16. Como pode ser visto no exemplo da figura 24: Figura 24 – Conversão de hexadecimal para decimal Já o sistema hexadecimal é usado principalmente como um método “compacto” para representação de binários. Como pode ser visto no exemplo da figura 25: Figura 25 – Conversão de hexadecimal para binário Código BCD: Quando números, letras ou palavras são representadas por um grupo especial de símbolos, que estão codificados o grupo de símbolos é chamado de código. Quando um número decimal é representado por seu número binário equivalente, denomina-se codificação binária pura. Todos os sistemas digitais utilizam alguma forma de números binários para suas operações internas, mas o mundo exterior é decimal por natureza. Por essa razão, um modo de codificar números decimais que combina algumas características tanto do sistema decimal quanto do sistema binário é usado em certas situações. Com isso, temos o código decimal codificado em binário, se cada dígito de um número decimal é representado por seu equivalente binário, o resultado é um código chamado decimal codificado em binário (BCD). Já que um dígito decimal pode assumir o valor 9, quatro bits são necessários para codificar cada dígito. O código BCD representa cada dígito do número decimal por um número binário de quatro bits de 0000 até 1001 são usados. O código BCD não utiliza os números 1010, 1011, 1100, 1101, 1110 e 1111, ou seja, somente 10 dos 16 grupos possíveis de quatro bits são usados. Se algum número de quatro bits “proibidos” ocorrerem em uma máquina usando o código BCD, temos o indício de que um erro aconteceu. Como pode ser visto no exemplo da figura 26: Figura 26 – Conversão de BCD para seu equivalente decimal A próxima figura, mostra como pode ocorrer o erro em um número BCD, já que o código não utiliza o número 1100. Como pode ser visto no exemplo da figura 27: Figura 27 – Conversão de BCD para seu equivalente decimal, evidenciando o erro no número BCD Código Gray: Se trata de um sistema de código binário que foi inventado por Frank Gray, esse código, é não ponderado, onde de um número para outro somente um bit varia. Este sistema de codificação apareceu quando os circuitos lógicos digitais se realizavam com válvulas termiônicas e dispositivos eletromecânicos. Naquela época, os contadores necessitavam de potências muito elevadas e por isso geravam ruído quando vários bits se modificavam simultaneamente. O uso do código Gray garantiu que qualquer mudança variaria apenas um bit. A grande vantagem do código Gray é que na passagem de um valor para outro sucessivo ou antecedente apenas um bit ou dígito muda. No controle de máquinas e outras aplicações em que é importante a quantidade de dados enviados em todos os instantes, indicarem apenas uma mudança de dígito é uma vantagem, daí a ampla utilização do Código de Gray nestes campos. Podemos ver um exemplo do código na figura 28: . Figura 28 – Código de Gray Código ASCII: O código alfanumérico mais usado é ASCII (American Standard Code for Information Interchange). O ASCII é um código de sete bits, portanto tem 128 codificações possíveis, sendo mais do que o suficiente para representar todos os caracteres de um teclado padrão, como também, as funções de controle. Como pode ser visto no exemplo da figura 29: Figura 29 – Listagem parcial do código ASCII O Código ASCII é usado para a transferência de informações entre um computador e dispositivos de entrada e saída como terminais de vídeo e impressoras. Um computador também o utiliza internamente para armazenar informações que o operador digita no teclado. 2) Pesquise e explique as diferenças entre um transistor bipolar e um transistor MOS. Transistor de junção bipolar: É o tipo de transistor mais comum, devido sua facilidade de polarização e durabilidade. Recebe este nome porque o processo de condução é realizado por dois tipos de carga - positiva e negativa. O transistor de junção bipolar foi o primeiro tipo de transistor a ser produzido, e que valeu o Prêmio Nobel, aos seus inventores. Os primeiros transistores foram produzidos com Germânio e passado algum tempo começou a ser utilizado o Silício. O objetivo dos inventores foi substituir as válvulas termiônicas, que consumiam muita energia, tinham baixo rendimento e funcionavam com tensões da ordem das centenas de volts. A figura 30 mostra o corte transversal da estrutura de um TJB: Figura 30 - Corte transversal da estrutura de um TJB Transistor MOS: O transistor MOSFET (acrônimo do inglês de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou, em português, transistor de efeito de campo metal óxido - semicondutor - TECMOS), é o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. A figura 31 a seguir exemplifica melhor a composição desse tipo de transistor: Figura 31 - Corte transversal de um MOSFET tipo N (NMOS) A figura 32 traz as principais diferenças entre esses dois tipos de transistores: Figura 32 – Principais diferenças entre um transistor MOS e um Bipolar 6. CONCLUSÃO Nesse experimento, foi possível simular portas lógicas com diodos e transistores, que foram agregados a um circuito com resistores, o qual estava sendo alimentado por uma fonte de alimentação variável DC. Pode-se perceber que uma das funções do diodo é limitar a passagem da corrente em um certo sentido, e a do transistor, que atua como uma espécie de chave no circuito, assim como, seus terminais que possuem funções diferentes como: base, coletor e o emissor, onde a base quando alimentada funciona como chave, fechando o contato entre os terminais do coletor e do emissor. Foram montados os circuitos propostos e através de suas tabelas verdade, foi permitido inferir o tipo de porta lógica que aquele circuito representava, concluindo-se que, o experimento continha as 5 principais portas lógicas, que são: AND, OR, NOT, NOR e NAND. A simulação das portas lógicas trouxe a visão do seu funcionamento interno, possibilitando uma compreensão mais detalhada de seu comportamento em diferentes níveis lógicos. 7. BIBLIOGRAFIA CAPUANO, Francisco G.; IDOETA, Ivan Valeije. Elementos de Eletrônica Digital. 40ª ed. São Paulo: Érica, 2000. MARQUES, Angelo Eduardo B.; CRUZ, Eduardo Cesar A.; CHOUERI JÚNIOR, Salomão. Dispositivos Semicondutores: Diodos e Transistores - Estude e Use. 12ª ed. São Paulo: Érica. 408 p. TOCCI, R.J. & WIDMER,N.S. Sistemas digitais: princípios e aplicações. 11a ed, PrenticeHall, 2011. ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC Disponível em: http://www.allegromicro.com/en/Design-Center/Technical-Documents/GeneralSemiconductor-Information/MOS-Vs-Bipolar-Transistor-Comparison.aspx Acesso em: 13 de agosto de 2016 às 14:09 INSTITUTO NEWTON C. BRAGA Disponível em: http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/almanaque/62-codigo-gray Acesso em: 12 de agosto de 2016 às 20:37